经典电容知识发表时间:2022-10-28 09:00 一、电容 : 所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电,通交流,隔直流。当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。 电容的用途非常多,主要有如下几种: 1.隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。 2.旁路(去耦):为交流电路中某些并联的组件提供低阻抗通路。 3.耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路 4.滤波:这个对DIY而言很重要,显卡上的电容基本都是这个作用。 5.温度补偿:针对其它组件对温度的适应性不够带来的影响,而进行补偿,改善电路的稳定性。6.计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数。 7.调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机、电视机。 8.整流:在预定的时间开或者关半闭导体开关组件。 9.储能:储存电能,用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯,加热设备等等。
二、电容的单位: 电容的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。 他们之间的具体换算如下:
三、电容的计算方法: 1.电容的计算公式 2.电容的阻抗的计算 交流电是能够通过电容的,但是电容对交流电仍然有阻碍作用。电容对交流电的阻碍作用叫做容抗。电容量大,交流电容易通过电容,说明电容量大,电容的阻碍作用小;交流电的频率高,交流电也容易通过电容,说明频率高,电容的阻碍作用也小。实验证明,容抗和电容成反比,和频率也成反比。如果容抗用X C 表示,电容用C表示,频率用f表示,那么
1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 2) 电容的标志方法: 3) 安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及有身安全。 安规电容安全等级,应用中允许的峰值脉冲电压,过电压等级(IEC664) X1 >2.5KV ≤4.0KV Ⅲ X2 ≤2.5KV Ⅱ X3 ≤1.2KV -- 安规电容的等级制 绝缘类型 额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<250V Y电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压的作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的.GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1F.Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安规电容的参数选择.
(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同: 从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等。 从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下面是各种电容的优缺点:
陶瓷电容 是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。按材质和工作电压可分为:低压瓷介电容器和高压陶介电容器。它的特点是:体积小,耐热性能好,损耗小,绝缘电阻高,但容量小。适用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
云母电容 以天然云母作为电容器中间的介质的电容器,其制作方法:用金属箔或者在云母片上喷涂银层作电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。由于云母具有介电强度高、介电常数大、损耗小、化学稳定性高、耐热性好,且易于剥离成厚度均匀的薄片等优异性能,故云母电容器广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的电路场合中。
独石电容 体积小,容量大;低损耗,误差小;低温飘,精度高。 无极性、无交互干扰,编(卷)带包装适合于自动化、高密度安装。 环氧树脂封装,具有优良的防潮性能、抗机械强度及焊接耐热性。 卧式轴向独石,填补贴片电容器性能的不足,实现产品电路小型化集成。
两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸泡在电解液(含酸性的合成溶液)中。 容量大。 电解电容在电路中的作用 :
用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。 稳定性好,容量大,高频特性好。
贴片电容 一、NPO电容器(温度补偿贴片单片陶瓷电容器) NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二、X7R电容器 (温度稳定型的陶瓷电容器) X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 三、Z5U电容器(“通用”陶瓷电容器) Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
工作温度范围 +10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗 最大 4%
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示
工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗 最大 5%
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